IRLR3410TRRPBF vs IRLR3410TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3410TRRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3410TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 17 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 79 W —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 105 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1 V (at 250 uA) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Technology IR HEXFET (IR MOSFET process) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Style Tape & Reel Right (TRR) —
Avalanche Rated Yes —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں