IRLR3636TRLPBF vs IRLR2905TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3636TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLR2905TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRLR3636TRLPBF | IRLR2905TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | IR HEXFET® (IR MOSFET™) | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM rating] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.8 mΩ | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (QG) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | 143 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| پیکیج | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | Yes / Compliant |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet family) | Yes |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 42 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 27 mOhm |
| Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +175C |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |