ISC016N08NM8ATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC016N08NM8ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPTG025N15NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPTG025N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPTG025N15NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC016N08NM8ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 8 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) +/-20 V (typical rating) —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 268 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 263 W —
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg value]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
پیکیج SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (per Infineon product page) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 395 W
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں