ISC016N08NM8ATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC016N08NM8ATMA1 bằng Infineon và IPTG025N15NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPTG025N15NM6ATMA1 - 150V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPTG025N15NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC016N08NM8ATMA1 | IPTG025N15NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 8 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V (typical rating) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 268 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 263 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 1.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C (junction) | -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) |
| Hộp | SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) | PG-HSOG-8-1 (TOLG) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) | OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Lead-free (per Infineon product page) | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 26 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 264 A (pulsed) |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 395 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ | — | 2.5 mOhm at VGS=10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Solder Joint Reliability | — | Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK |