ISC016N08NM8ATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC016N08NM8ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE036N08NM6CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC016N08NM8ATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 8 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V (typical rating) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 268 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 263 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 1.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C (junction) | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| پیکیج | SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Lead-free (per Infineon product page) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) | — |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| پیکیج / کیس | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Configuration | — | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |