ISC016N08NM8ATMA1 vs ISC009N06LM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC016N08NM8ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC009N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC016N08NM8ATMA1 | ISC009N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 8 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | +/-20 V (typical rating) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | 41 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] | 348 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 268 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 263 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 1.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C (junction) | -55 C to +175 C |
| پیکیج | SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Lead-free (per Infineon product page) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 214 W |