ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC024N08NM7ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC015N06NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC024N08NM7ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 167 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 150 W | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8 (SSO8) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Rds(on) at Vgs=10V (typ) | [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg (typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |