ISC033N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC033N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC028N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1 - 30V 2.8mOhm N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

ISC028N03LF2SATMA1 - 30V 2.8mOhm N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

ISC028N03LF2SATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC033N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
MPN ISC033N03LF2SATMA1 —
Part Family OptiMOS LF2 (<= 40V) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench (<= 40V) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 108 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum On-Resistance RDS(on) max 3.3 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V 2.35 V
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
پیکیج PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Junction Temperature (TJ) max [DATA_NEEDED: junction temperature max] —
Configuration Single N-channel, source-down —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں