ISC037N12NM6ATMA1 vs IQD063N15NM5SCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC037N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQD063N15NM5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQD063N15NM5SCATMA1 - 150V 5.1mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQD063N15NM5SCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC037N12NM6ATMA1 | IQD063N15NM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | -55°C to +175°C |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 14.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 5.1 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 6.32 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.8 V (max) |
| Total Gate Charge (QG) at VGS=10V | — | 48 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.6 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 900 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 21 pF |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 333 W |
| Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C | — | 3 W |