ISC080N10NM6ATMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC080N10NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD034N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC080N10NM6ATMA1 | IPD034N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 6 100V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | 8.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V at 36 µA | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (Pb-free green finish) |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Qualification | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 167 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 4 V at 93 uA |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| Pin Configuration | — | 3-Pin (2 + Tab) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page) |