ISC110N12NM6ATMA1 vs ISC016N08NM8ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC110N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC016N08NM8ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC110N12NM6ATMA1 ISC110N12NM6ATMA1 - 120V 9.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISC110N12NM6ATMA1 - 120V 9.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISC110N12NM6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC016N08NM8ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 - 80V N-Ch OptiMOS 8 MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC110N12NM6ATMA1 ISC016N08NM8ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 11 A 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9.8 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.1 V —
Total Gate Charge (Qg) 15.4 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1.1 nF —
Output Capacitance (Coss) 330 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 10 pF —
Power Dissipation (Pd) at Tc 94 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta 3 W —
Avalanche Energy (EAS) 185 mJ —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج SuperSO8 (TDSON-8) SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS 8
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS max) — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V (typical rating)
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 268 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 263 W
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 1.6 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (junction)
Technology — Trench-gate OptiMOS 8 (silicon)
Lead-Free / Halogen-Free — Lead-free (per Infineon product page)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں