ISC110N12NM6ATMA1 vs ISC016N08NM8ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC110N12NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC016N08NM8ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC110N12NM6ATMA1 | ISC016N08NM8ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 11 A | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 62 A | [DATA_NEEDED: pulsed/continuous current rating at Tc] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9.8 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.1 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15.4 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.1 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 330 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 10 pF | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 94 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 3 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 185 mJ | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | SuperSO8 (TDSON-8) | SuperSO8 / PG-TDSON-8 (5.0 x 6.0 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS 8 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V (typical rating) |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 268 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 263 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 1.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Technology | — | Trench-gate OptiMOS 8 (silicon) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Lead-free (per Infineon product page) |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020E classification for SuperSO8) |