ISK057N04LM6ATLA1 vs ISK057N04LM6ATSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISK057N04LM6ATLA1 بذریعہ Infineon اور ISK057N04LM6ATSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ فعال
Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology Trench (OptiMOS 6) OptiMOS 6 Trench
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
RDS(on) typical at VGS=10V 5.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2.3 V (typ)
Gate Charge (Qg total) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] 870 pF
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 39.1 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55C to +150C
پیکیج / کیس PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
DigiKey Part Number 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 15 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 64 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 39.1 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 8.3 mOhm
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 12 nC
Output Capacitance (Coss) — 290 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF
پیکیج — PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں