ISK057N04LM6ATLA1 vs ISK057N04LM6ATSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISK057N04LM6ATLA1 توسط Infineon و ISK057N04LM6ATSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ فعال
Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology Trench (OptiMOS 6) OptiMOS 6 Trench
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
RDS(on) typical at VGS=10V 5.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2.3 V (typ)
Gate Charge (Qg total) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] 870 pF
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 39.1 W —
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C -55C to +150C
بسته‌بندی / کیس PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
DigiKey Part Number 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 15 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 64 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 39.1 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 8.3 mOhm
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 12 nC
Output Capacitance (Coss) — 290 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF
بسته‌بندی — PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت