ISK057N04LM6ATLA1 vs ISK057N04LM6ATSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISK057N04LM6ATLA1 bằng Infineon và ISK057N04LM6ATSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISK057N04LM6ATLA1 | ISK057N04LM6ATSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 6) | OptiMOS 6 Trench |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 64 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max] | — |
| RDS(on) typical at VGS=10V | 5.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2.3 V (typ) |
| Gate Charge (Qg total) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | 870 pF |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 39.1 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C |
| Hộp / Vỏ | PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| DigiKey Part Number | 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 15 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 64 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 39.1 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 8.3 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 12 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 290 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 21 pF |
| Hộp | — | PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm) |