ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC028N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1 - 30V 2.8mOhm N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

ISC028N03LF2SATMA1 - 30V 2.8mOhm N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

ISC028N03LF2SATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ028N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
پیکیج PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction, typical) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں