ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ028N03LF2SATMA1 מאת Infineon ו ISC028N03LF2SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
ISC028N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1 - 30V 2.8mOhm N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

ISC028N03LF2SATMA1 - 30V 2.8mOhm N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

ISC028N03LF2SATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר ISZ028N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 128 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V —
On-Resistance (RDS(on)) max 2.8 mΩ —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
מארז PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction, typical) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (logic level at 4.5 V) —
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר