ISZ028N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISZ028N03LF2SATMA1 bằng Infineon và ISC028N03LF2SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 - 30V 128A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ028N03LF2SATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
ISC028N03LF2SATMA1 - 30V 2.8mOhm N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS
ISC028N03LF2SATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISZ028N03LF2SATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | StrongIRFET 2 (Trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 128 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 2.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (junction, typical) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (logic level at 4.5 V) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |