ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ033N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC015N06NM5LF2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISC015N06NM5LF2ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | 3 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | 90 nC |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C |
| پیکیج | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 275 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 217 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.55 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage Rating | — | ±20 V |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 1.3 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 6.9 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 1.3 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 55 pF |
| RoHS | — | Compliant |