ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC025N08NM5LF2ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ056N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC025N08NM5LF2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ056N03LF2SATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8 FL (Surface Mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 198 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 2.55 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max — 3.9 V
Total Gate Charge (Qg) Max — 96 nC
Power Dissipation @ TA — 3 W
Power Dissipation @ TC — 217 W
Polarity — N-Channel
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں