ISZ056N03LF2SATMA1 vs ISC025N08NM5LF2ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISZ056N03LF2SATMA1 توسط Infineon و ISC025N08NM5LF2ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISZ056N03LF2SATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET 2 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TDSON-8 FL (Surface Mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 198 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 2.55 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max — 3.9 V
Total Gate Charge (Qg) Max — 96 nC
Power Dissipation @ TA — 3 W
Power Dissipation @ TC — 217 W
Polarity — N-Channel
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت