K4A4G085WD-BCRC vs MT40A512M8RH-075E:B موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A512M8RH-075E:B بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G085WD-BCRC | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mb/s (PC2400) | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| پیکیج | FBGA-78 (TFBGA) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| ریفرنس وولٹیج | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |