K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WD-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCPB K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G165WD-BCPB K4A4G165WD-BCRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
تنظیم 256M x 16 256M x 16
ڈیٹا ریٹ 2133 MT/s —
Core Voltage 1.2 V —
پیکیج FBGA-96 FBGA-96
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Die Generation D-die —
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] —
Burst Length 8 (BL8, fixed/chop) —
انٹرفیس DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Pb-Free Yes (per Samsung part-numbering suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free suffix) Lead free / RoHS Compliant
Refresh Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) —
Speed Bin — DDR4-2400 (BCRC)
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Process Generation — Samsung D-die
انٹرفیس ٹائپ — DDR4 (double data rate, parallel)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Data Mask Function — Yes
Auto Precharge — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں