K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WD-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 MT/s | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| پیکیج | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Die Generation | D-die | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | 16 banks / 4 bank groups |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| انٹرفیس | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | SSTL-12 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C (commercial) |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (lead-free suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes (external RZQ resistor) |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |