K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WD-BCPB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCPB K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4A4G165WD-BCPB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCPB
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
تنظیم 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
پیکیج FBGA-96 FBGA-96
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
انٹرفیس ٹائپ DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS اسٹیٹس Lead free / RoHS Compliant Compliant (lead-free suffix)
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
ڈیٹا ریٹ — 2133 MT/s
Core Voltage — 1.2 V
Die Generation — D-die
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin]
Burst Length — 8 (BL8, fixed/chop)
انٹرفیس — DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe)
Pb-Free — Yes (per Samsung part-numbering suffix)
Refresh — Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں