K4A4G165WF-BCTD vs K4A4G165WD-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WF-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WF-BCTD | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $8.20 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| I/O Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| انٹرفیس | SSTL-12 | SSTL-12 |
| پیکیج | FBGA-96 (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | 0C to +85C (commercial) |
| خصوصیات | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Technology | Samsung F-die CMOS | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 4 Gbit |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes (external RZQ resistor) |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |