K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16LY-062E AAT:E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A512M16LY-062E AAT:E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G165WG-BCWE MT40A512M16LY-062E AAT:E
برانڈ Samsung Electronics Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $16.90 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
میموری سائز 4 Gbit 8 Gbit (1 GB)
Memory Organization 256M x 16 512M x 16
انٹرفیس Parallel Parallel
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps —
Access Time 19 ns 19 ns
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج FBGA-96 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per JLCPCB listing) Compliant
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] 1.6 GHz
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] —
Speed Grade — 062E
Package Height — [DATA_NEEDED: package max height]
MSL Rating — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Ordering Code Suffix — AAT:E (temperature/package option per Micron code)
Moisture Packaging — [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix]
Data Rate Class — DDR4-3200 (062E speed bin)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں