K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC-BIWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداریخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC-BCTD | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | آخری بار خریداری | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps (PC4-2133) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | — |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| انٹرفیس ٹائپ | Synchronous, parallel | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40°C to +95°C |
| انٹرفیس | — | POD-12 |
| CAS لیٹنسی | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |