K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCPB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WB-BCPB
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gb —
Memory Organization 512M x 16 —
ڈیٹا ریٹ DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) 2133 Mbps
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
انٹرفیس DDR4 (16-bit data bus) DDR4 (synchronous, double data rate)
پیکیج 96-ball FBGA (TFBGA) 96FBGA (TFBGA)
Die Generation C-die (1Y nm class) 8Gb B-die
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +95C 0C to +85C
خصوصیات Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Termination On-die termination (ODT), dynamic —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per Lisleapex listing)
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Density — 8 Gb
تنظیم — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — Rectangular, bottom terminal position
Bank Groups — DDR4 bank-group architecture
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh specification]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں