K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WB-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 512M x16 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | 0C to +85C |
| پیکیج | 96FBGA | 96FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | B-die |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | Supported (DM per x16 lane) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| انٹرفیس | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |