K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WB-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WC-BCTD מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WB-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 512M x16 | 512M x 16 |
| קצב נתונים | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | 0C to +85C |
| מארז | 96FBGA | 96FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | B-die |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | Supported (DM per x16 lane) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| ממשק | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |