K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646D-BCK00 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| ڈیٹا ریٹ | DDR3-1600 (800 MHz) | 1600 Mbps/pin |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 95°C (Tcase) |
| CAS لیٹنسی | 11 (CL-tRCD-tRP) | 11 (at 1600 Mbps) |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |