K4B4G1646F-BYMA vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646F-BYMA بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646F-BYMA K4B4G1646F-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYMA ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646F-BYMA K4B4G1646E-BYMA
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $14.32
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (1.28V~1.45V) & 1.5V (1.425V~1.575V) —
ڈیٹا ریٹ 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
پیکیج 96-FBGA (Lead-Free & Halogen-Free) FBGA-96
آپریٹنگ درجہ حرارت -40°C to +95°C 0°C to +95°C
CAS لیٹنسی CL=13 (at 1.35V) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
انٹرفیس 16-bit I/O —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Data Mask Yes —
RoHS Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
سپلائی وولٹیج — 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
پنز کی تعداد — 96

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں