K4B4G1646F-BYMA vs K4B4G1646E-BYMA So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646F-BYMA bằng Samsung Electronics và K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646F-BYMA K4B4G1646F-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYMA ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646F-BYMA K4B4G1646E-BYMA
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $14,32
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (1.28V~1.45V) & 1.5V (1.425V~1.575V) —
Tốc độ dữ liệu 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
Hộp 96-FBGA (Lead-Free & Halogen-Free) FBGA-96
Nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C 0°C to +95°C
Latency CAS CL=13 (at 1.35V) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Giao diện 16-bit I/O —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Data Mask Yes —
RoHS Compliant Compliant
Đông trùng haogen Yes —
Điện áp cung cấp — 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Số lượng chân — 96

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá