K6F2016U4D-FF70T00 vs K6F2016U4E-EF70T موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6F2016U4D-FF70T00 بذریعہ Samsung Electronics اور K6F2016U4E-EF70T بذریعہ Samsung Electro-Mechanics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung

K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung

K6F2016U4D-FF70T00 ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6F2016U4D-FF70T00 K6F2016U4E-EF70T
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ Asynchronous SRAM SRAM - Asynchronous
میموری سائز 2 Mbit 2 Mbit
تنظیم 128K x 16 128K x 16
Access Time (tAA) 70 ns 70 ns
Supply Voltage (Vcc) 2.7 V to 3.3 V —
انٹرفیس Parallel Parallel
Technology Full CMOS Full CMOS
Write Cycle Time (tWP) 50 ns —
آپریٹنگ درجہ حرارت Industrial temperature range [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package 48-TFBGA (6 x 7)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Power Feature Super low power and low voltage —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.3 V
Active Supply Current (ICC1) — [DATA_NEEDED: ICC1]
Standby Current (ICC2) — [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade]
Control Signals — CE, OE, WE
Refresh Requirement — None (static RAM)
نمی حساسیت کی سطح (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں