K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-BF70T موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-BF55 بذریعہ Samsung Electronics اور K6X0808C1D-BF70T بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ فعال
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF70T
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ Asynchronous SRAM SRAM - Asynchronous
میموری سائز 256 Kbit 256 Kbit
تنظیم 32K x 8 —
Access Time 55 ns 70 ns
انٹرفیس Parallel —
سپلائی وولٹیج 5 V —
Technology CMOS —
پیکیج 28-SOP 28-SOP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C (TA)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Memory Format SRAM —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Refresh Not required (static memory) —
RoHS اسٹیٹس unknown Compliant
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
ڈیٹا بس چوڑائی — 8 bit (I/O0-I/O7)
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں