K9F2808UOC-PCB0 vs MT29F1G08ABAEAWP-IT:E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K9F2808UOC-PCB0 بذریعہ Samsung Electronics اور MT29F1G08ABAEAWP-IT:E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K9F2808UOC-PCB0 | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | NRND | فعال |
| میموری ٹائپ | NAND Flash (SLC, Small-Page) | — |
| Memory Density | 128 Mbit (16M x 8) | — |
| تنظیم | 16M x 8 bit | 128M x 8 |
| Operating Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Read Access Time | 50 ns | — |
| Page Size | 528 bytes (512 main + 16 spare) | 2048 bytes + 64 bytes spare |
| Block Size | 16 pages (16 KiB + 256 spare bytes) | 128 KB |
| Package Options | 48-TSOP I, 48-WSOP1, 63-TBGA | — |
| I/O Bus Width | x8 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | Commercial / Industrial (C, I grade) | -40C to +85C |
| Command Set | Standard NAND (00h/01h/10h/30h/60h/D0h/50h) | — |
| Status Output | R/B# open-drain ready/busy | — |
| Technology Node | Samsung 2nd-generation SLC NAND | — |
| Cell Type | Single-Level Cell (SLC) | — |
| Programming Model | Page program, block erase | — |
| Lead-Free / RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status from Samsung datasheet] | — |
| میموری سائز | — | 1 Gbit (128 MB) |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| سپلائی وولٹیج | — | 3.3 V |
| Access Time | — | 25 ns |
| Program Time | — | 200 us (typical) |
| Erase Time | — | 2 ms (typical) |
| Endurance | — | 100K program/erase cycles |
| Data Retention | — | 10 years |
| پیکیج | — | TSOP-48 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |