K9T1G08U0M-PIB0 vs MT29F1G08ABAEAWP-IT:E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K9T1G08U0M-PIB0 بذریعہ Samsung Electronics اور MT29F1G08ABAEAWP-IT:E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K9T1G08U0M-PIB0 | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | NRND | فعال |
| میموری ٹائپ | Non-volatile NAND Flash (SLC) | — |
| Density | 1 Gbit (128 MB) | — |
| تنظیم | 128M x 8 bit | 128M x 8 |
| Cell Technology | SLC (Single-Level Cell) | — |
| انٹرفیس | Asynchronous NAND, 8-bit I/O bus | Parallel |
| Page Size | 2 Kbytes + 64 bytes spare area | 2048 bytes + 64 bytes spare |
| Block Size | 128 Kbytes (64 pages per block) | 128 KB |
| VCC Supply Voltage | 2.7 V to 3.6 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: industrial vs commercial grade] | -40C to +85C |
| پیکیج | 48-pin TSOP Type I (WSOP1) | TSOP-48 |
| Pb-Free (Lead-Free) | Yes (PIB0 suffix indicates Pb-free) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free variant) | — |
| Endurance (P/E Cycles) | [DATA_NEEDED: typical P/E endurance spec] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention spec] | 10 years |
| Programming Time per Page | [DATA_NEEDED: typical tPROG] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: typical tBERS] | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (TSOP) | Surface Mount |
| Command Set | Standard NAND (ONFI-compatible legacy commands) | — |
| میموری سائز | — | 1 Gbit (128 MB) |
| سپلائی وولٹیج | — | 3.3 V |
| Access Time | — | 25 ns |
| Program Time | — | 200 us (typical) |
| Erase Time | — | 2 ms (typical) |
| Endurance | — | 100K program/erase cycles |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |