K9T1G08U0M-PIB0 vs MT29F1G08ABAEAWP-IT:E So sánh
So sánh chi tiết song song của K9T1G08U0M-PIB0 bằng Samsung Electronics và MT29F1G08ABAEAWP-IT:E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K9T1G08U0M-PIB0 | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | NRND | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | Non-volatile NAND Flash (SLC) | — |
| Density | 1 Gbit (128 MB) | — |
| Tổ chức | 128M x 8 bit | 128M x 8 |
| Cell Technology | SLC (Single-Level Cell) | — |
| Giao diện | Asynchronous NAND, 8-bit I/O bus | Parallel |
| Page Size | 2 Kbytes + 64 bytes spare area | 2048 bytes + 64 bytes spare |
| Block Size | 128 Kbytes (64 pages per block) | 128 KB |
| VCC Supply Voltage | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: industrial vs commercial grade] | -40C to +85C |
| Hộp | 48-pin TSOP Type I (WSOP1) | TSOP-48 |
| Pb-Free (Lead-Free) | Yes (PIB0 suffix indicates Pb-free) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free variant) | — |
| Endurance (P/E Cycles) | [DATA_NEEDED: typical P/E endurance spec] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention spec] | 10 years |
| Programming Time per Page | [DATA_NEEDED: typical tPROG] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: typical tBERS] | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (TSOP) | Surface Mount |
| Command Set | Standard NAND (ONFI-compatible legacy commands) | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 1 Gbit (128 MB) |
| Điện áp cung cấp | — | 3.3 V |
| Access Time | — | 25 ns |
| Program Time | — | 200 us (typical) |
| Erase Time | — | 2 ms (typical) |
| Endurance | — | 100K program/erase cycles |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |