M29F800FT55N3E2 vs M29F800FB55N3E2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29F800FT55N3E2 بذریعہ Micron Technology اور M29F800FB55N3E2 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29F800FT55N3E2 M29F800FB55N3E2
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs EEPROM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash NOR Flash, SLC, Parallel
Memory Organization 512K x 16 (8 Mbit) —
Density 8389 kbits —
Access Time 55 ns 55 ns
سپلائی وولٹیج 5 V —
انٹرفیس Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top Boot Block —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix)
پیکیج 48-TSOP I 48-pin TSOP Type I (N suffix)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Word/Byte Configuration BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) —
Hardware Reset / Power-Down RP# pin —
Embedded Program/Erase Controller Yes (byte/word program, block erase) —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per block (typical for family) —
Data Retention >20 years (typical for family) —
Ready/Busy Output Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) Compliant (E suffix)
میموری سائز — 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16)
Supply Voltage Min — 4.5 V
Supply Voltage Max — 5.5 V
تنظیم — Bottom boot (B suffix)
ڈیٹا بس چوڑائی — 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable)
Packing — Tray (blank suffix)
Programming Operations — READ, ERASE, PROGRAM via command set
Write Protection — Block protection with lockable boot block
Status Output — RB# (Ready/Busy)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں