MRF5S19060NBR1 vs MRF5S19060NR1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF5S19060NBR1 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF5S19060NR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF5S19060NBR1 | MRF5S19060NR1 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | RF Transceivers |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS RF Power) | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Configuration | Dual Die (2 x N), Common Source | Single, Common-Source |
| Frequency Band | 1930 MHz to 1990 MHz | — |
| Output Power (P1dB) | 60 W (CW/peak) | — |
| Output Power (Average) | 12 W avg. | 12 W |
| Drain Supply Voltage | 28 V (typical) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 65 V (max) | — |
| Power Gain | 14 dB at 1.99 GHz | — |
| Drain Current | 750 mA (typical operating DC) | — |
| پیکیج | TO-272 WB-4 (overmolded plastic) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (SMD) | — |
| پن کی تعداد | 5 | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| Maximum Power Dissipation (Absolute) | 218.8 W | — |
| Technology | Silicon LDMOS | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | — |
| Frequency Range | — | 1930 MHz to 1990 MHz |
| Typical Gain | — | 14 dB at 1.99 GHz |
| Drain-Source Voltage (Rated) | — | 65 V |
| Test Supply Voltage | — | 28 V |
| Test Quiescent Current | — | 750 mA |
| پیکیج / کیس | — | TO-270 WB-4 (over-molded plastic, 4-lead) |
| ماؤنٹنگ اسٹائل | — | Surface Mount |
| Application | — | Base station / broadband commercial amplifier |
| پنز کی تعداد | — | 5 |
| Lead Free Status | — | Lead Free |
| Operating Mode | — | Class AB (typical RF PA) |