MRF5S19060NBR1 vs MRF5S19060NR1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MRF5S19060NBR1 توسط NXP Semiconductors و MRF5S19060NR1 توسط NXP Semiconductors. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MRF5S19060NBR1 | MRF5S19060NR1 |
|---|---|---|
| برند | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| دسته‌بندی | MOSFETs | RF Transceivers |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS RF Power) | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Configuration | Dual Die (2 x N), Common Source | Single, Common-Source |
| Frequency Band | 1930 MHz to 1990 MHz | — |
| Output Power (P1dB) | 60 W (CW/peak) | — |
| Output Power (Average) | 12 W avg. | 12 W |
| Drain Supply Voltage | 28 V (typical) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 65 V (max) | — |
| Power Gain | 14 dB at 1.99 GHz | — |
| Drain Current | 750 mA (typical operating DC) | — |
| بسته‌بندی | TO-272 WB-4 (overmolded plastic) | — |
| نوع نصب | Surface Mount (SMD) | — |
| تعداد پایه | 5 | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| Maximum Power Dissipation (Absolute) | 218.8 W | — |
| Technology | Silicon LDMOS | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | — |
| Frequency Range | — | 1930 MHz to 1990 MHz |
| Typical Gain | — | 14 dB at 1.99 GHz |
| Drain-Source Voltage (Rated) | — | 65 V |
| Test Supply Voltage | — | 28 V |
| Test Quiescent Current | — | 750 mA |
| بسته‌بندی / کیس | — | TO-270 WB-4 (over-molded plastic, 4-lead) |
| سبک نصب | — | Surface Mount |
| Application | — | Base station / broadband commercial amplifier |
| تعداد پین‌ها | — | 5 |
| Lead Free Status | — | Lead Free |
| Operating Mode | — | Class AB (typical RF PA) |