MRF6S21060BR1 vs MRF6S21060NBR1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF6S21060BR1 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF6S21060NBR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF6S21060BR1 MRF6S21060BR1 - 14W RF Power LDMOS Transistor 2.12GHz | NXP

MRF6S21060BR1 - 14W RF Power LDMOS Transistor 2.12GHz | NXP

MRF6S21060BR1 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF6S21060NBR1 MRF6S21060NBR1 - 14W, 2.11-2.17GHz RF LDMOS | NXP

MRF6S21060NBR1 - 14W, 2.11-2.17GHz RF LDMOS | NXP

MRF6S21060NBR1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF6S21060BR1 MRF6S21060NBR1
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت Obsolete فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement-Mode LDMOS LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode
Drain-Source Voltage (Vdss) 68 V —
Test Voltage 28 V —
Test Current 610 mA —
Output Power (Pout) 14 W —
Power Gain 15.5 dB at 2.12 GHz 15.5 dB
Frequency Range Up to 2170 MHz —
Operating Mode Class AB Class AB
پیکیج / کیس TO-272 WB-4 (ceramic) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount / Flange Mount Surface Mount / Flange Mount
Lead Free Status Lead Free —
Target Application W-CDMA base station final-stage PA W-CDMA base station final stage
Suitable For TDMA, CDMA, multicarrier amplifier applications —
Current Rating (Datasheet) 10 uA —
Manufacturer NXP (formerly Freescale Semiconductor) —
Technology — RF Power Field Effect Transistor
Drain-Source Voltage (Rated) — 68 V
Operating Frequency Range — 2110 MHz to 2170 MHz
Test Frequency — 2.12 GHz
Test Drain Voltage (VDD) — 28 V
Test Quiescent Current (IDQ) — 1600 mA
Output Power (Avg, Single-Carrier W-CDMA) — 14 W
Power Added Efficiency — [DATA_NEEDED: PAE %]
پیکیج — TO-272 WB-4 (ceramic flanged)
RoHS اسٹیٹس — compliant
Lead Free — yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں