MRF8S21200HR6 vs MRF8S21200HSR6 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF8S21200HR6 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF8S21200HSR6 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
NXP Semiconductors
MRF8S21200HR6 - 48W RF Power LDMOS MOSFET | NXP | LTE Base Station
MRF8S21200HR6 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF8S21200HR6 | MRF8S21200HSR6 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | LDMOS (Dual), N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | LDMOS, Dual N-Channel, Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Frequency | 2.11 GHz to 2.17 GHz (2110-2170 MHz) | — |
| Test Voltage | 28 V | 28 V |
| Test Current | 1.4 A | — |
| Power Gain | 18.1 dB | 18.1 dB |
| Output Power (Average) | 48 W | — |
| Drain-Source Voltage (Max) | 65 V | — |
| Configuration | Common Source, 2 elements | — |
| Case Connection | Source | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (NI-1230 ceramic flange) | — |
| پیکیج | NI-1230 | — |
| Application | W-CDMA, LTE base station power amplifiers | — |
| Class of Operation | Class AB, Class C | — |
| Surface Mount | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Frequency Band | — | 2110 MHz to 2170 MHz |
| Output Power (Avg, W-CDMA/LTE) | — | 48 W at 28 V |
| Test Current (Quiescent) | — | 1.4 A |
| Minimum Breakdown Voltage (Drain-Source) | — | 65 V |
| Maximum Junction Temperature | — | 225 C |
| Mounting Configuration | — | Surface Mount (NI-1230HS ceramic package) |
| Application Class | — | Class AB, Class C (cellular base station modulation) |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 C |
| Number of Elements / Configuration | — | Dual, Common Source, 2 Elements |
| Lead Free Status | — | Lead Free |
| Technology | — | Silicon LDMOS (lateral double-diffused MOSFET) |
| Target Modulation | — | W-CDMA, LTE, TD-LTE |