MRF8S9202NR3 vs MRF8S9102NR3 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF8S9202NR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF8S9102NR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF8S9202NR3 | MRF8S9102NR3 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Status | Active | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Lateral MOSFET | N-Channel Lateral Enhancement-Mode MOSFET |
| Configuration | Single | — |
| Frequency Range | 920 MHz to 960 MHz | — |
| Test Frequency | 920 MHz | 920 MHz |
| Output Power (W-CDMA Average) | 58 W | — |
| Power Gain (typ) | 19 dB at 920 MHz | — |
| Drain Supply Voltage (VDD) | 28 V | — |
| Quiescent Drain Current (IDQ) | 1300 mA | — |
| Drain Current (operating) | 1.3 A | — |
| Min Drain-Source Breakdown Voltage | 70 V | — |
| پیکیج / کیس | OM-780-2 (ceramic air-cavity) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Chassis / flange mount with bolt-down thermal pad |
| Operating Mode | Class AB and Class C | Class AB or Class C |
| Modulation Support | Single W-CDMA, CDMA, GSM/EDGE | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | [DATA_NEEDED: rohs compliance] |
| Part Family | — | MRF8S9102N / HV8 series |
| Application | — | RF Power Amplifier, W-CDMA base station |
| Operating Frequency Range | — | 865 MHz to 960 MHz |
| Drain-Source Operating Voltage (VDS) | — | 28 V (typical test condition) |
| Drain-Source Breakdown Voltage (VDSS) | — | 70 V (max) |
| Average Output Power (POUT) | — | 28 W |
| Drain Current (ID) at bias | — | 750 mA |
| Power Gain (Gp) | — | 23.1 dB |
| Modulation Format | — | Single W-CDMA (also Class AB/C capable) |
| پیکیج | — | OM-780-2 (3-pin ceramic, flange mount) |
| پن کی تعداد | — | 3 |