MRF9030LR1 vs MRF9030MBR1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF9030LR1 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF9030MBR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
NXP Semiconductors
MRF9030LR1 - 945MHz 30W 26V RF Power MOSFET | NXP Semiconductors
MRF9030LR1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF9030LR1 | MRF9030MBR1 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Lateral MOSFET (RF Power) | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Technology | Enhancement-Mode Lateral RF Sub-Micron MOSFET | — |
| Operating Frequency | Up to 1000 MHz (1.0 GHz) | — |
| Test Frequency | 945 MHz | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 68 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 250 mA (datasheet typical) | — |
| Output Power (Pout) | 30 W (CW / pulsed RF) | — |
| Power Gain (Gp) | 19 dB (typical at 945 MHz) | — |
| Drain Efficiency | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %] | — |
| Supply Voltage (Vdd) | 26 V (typical base-station bias) | — |
| Maximum Power Dissipation | 92 W (absolute, with proper heatsinking) | — |
| پیکیج | NI-360 (NI-360L) ceramic flange, 3-pin (Drain / Gate / Source) | TO-272-2 (ceramic, 2-lead flanged) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Chassis / heatsink mount (flanged ceramic) | Surface Mount (flanged ceramic) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +150C (junction, derated) | — |
| Storage Temperature | -65C to +150C | — |
| Configuration | Single transistor, common-source | Single, common-source |
| Lead Finish | Gold-plated (per NI-360 case 360B-05) | — |
| MSL لیول | Not applicable (non-SMD ceramic flange) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per current NXP product page) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status from manufacturer page] |
| Manufacturer | — | NXP Semiconductors (formerly Freescale / Motorola) |
| Part Family | — | RF Sub-Micron MOSFET Line |
| Typical Output Power | — | 30 W at 945 MHz |
| Operating Frequency Range | — | DC to 1000 MHz |
| Power Gain (typical) | — | 20 dB |
| Drain-Source Voltage (Vds) Rating | — | 26 V |
| Typical Bias Current | — | 250 mA |
| Maximum Dissipation (per Partstack) | — | 139 W |
| نمی حساسیت کی سطح (MSL) | — | 3 |
| Application | — | Broadband RF power amplifier / large-signal common-source amplifier |
| Polarity / Channel Mode | — | N-Channel, enhancement-mode |