MRF9030LR1 vs MRF9030MBR1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MRF9030LR1 מאת NXP Semiconductors ו MRF9030MBR1 מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
NXP Semiconductors
MRF9030LR1 - 945MHz 30W 26V RF Power MOSFET | NXP Semiconductors
MRF9030LR1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MRF9030LR1 | MRF9030MBR1 |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel Lateral MOSFET (RF Power) | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Technology | Enhancement-Mode Lateral RF Sub-Micron MOSFET | — |
| Operating Frequency | Up to 1000 MHz (1.0 GHz) | — |
| Test Frequency | 945 MHz | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 68 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 250 mA (datasheet typical) | — |
| Output Power (Pout) | 30 W (CW / pulsed RF) | — |
| Power Gain (Gp) | 19 dB (typical at 945 MHz) | — |
| Drain Efficiency | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %] | — |
| Supply Voltage (Vdd) | 26 V (typical base-station bias) | — |
| Maximum Power Dissipation | 92 W (absolute, with proper heatsinking) | — |
| מארז | NI-360 (NI-360L) ceramic flange, 3-pin (Drain / Gate / Source) | TO-272-2 (ceramic, 2-lead flanged) |
| סוג הרכבה | Chassis / heatsink mount (flanged ceramic) | Surface Mount (flanged ceramic) |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +150C (junction, derated) | — |
| Storage Temperature | -65C to +150C | — |
| Configuration | Single transistor, common-source | Single, common-source |
| Lead Finish | Gold-plated (per NI-360 case 360B-05) | — |
| רמת MSL | Not applicable (non-SMD ceramic flange) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (per current NXP product page) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status from manufacturer page] |
| Manufacturer | — | NXP Semiconductors (formerly Freescale / Motorola) |
| Part Family | — | RF Sub-Micron MOSFET Line |
| Typical Output Power | — | 30 W at 945 MHz |
| Operating Frequency Range | — | DC to 1000 MHz |
| Power Gain (typical) | — | 20 dB |
| Drain-Source Voltage (Vds) Rating | — | 26 V |
| Typical Bias Current | — | 250 mA |
| Maximum Dissipation (per Partstack) | — | 139 W |
| רמת רגישות ללחות (MSL) | — | 3 |
| Application | — | Broadband RF power amplifier / large-signal common-source amplifier |
| Polarity / Channel Mode | — | N-Channel, enhancement-mode |