MRFE6S9160HR3 vs MRF6S9130HSR3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRFE6S9160HR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF6S9130HSR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF6S9130HSR3 MRF6S9130HSR3 - 27W 880MHz RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9130HSR3 - 27W 880MHz RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9130HSR3 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRFE6S9160HR3 MRF6S9130HSR3
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors NXP Semiconductors (formerly Freescale)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Lateral N-Channel RF Power MOSFET (LDMOS)
Technology HV6E lateral MOSFET (LDMOS-like) LDMOS (laterally diffused MOS)
Drain-Source Voltage (V DSS) 70 V (max) —
Drain Current (continuous) [DATA_NEEDED: typical drain current at TC=25C] —
Operating Frequency Range 865 MHz to 960 MHz —
Test Frequency 880 MHz —
Drain Supply Voltage (V DD) 28 V (typical) —
Output Power (Average) 35 W (single-carrier N-CDMA, 880 MHz) —
Output Power (PEP) [DATA_NEEDED: PEP at specified conditions] —
Power Gain (G ps / G p) 21 dB (typical at 880 MHz) —
Drain Efficiency 32.4% (typical, N-CDMA, 880 MHz) [DATA_NEEDED: drain efficiency figure]
پیکیج / کیس NI-780H-2L (ceramic/metal air-cavity flange-mount) NI-780S (CASE 465-06, Style 1) ceramic flange
ماؤنٹنگ ٹائپ Chassis / Flange mount (through-hole RF leads) Chassis / flange mount with screw-down
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj operating range]
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Thermal Resistance (R thJC) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case] —
Input Match Internally matched input (broadband) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL لیول Not applicable (non-SMD air-cavity package) —
Part Status — Active
Operating Frequency — 880 MHz
Drain-Source Voltage (Vdss) Max — 68 V
Drain Current (Id) Max — [DATA_NEEDED: maximum pulsed drain current]
Typical Quiescent Current (Idq) — 950 mA
Drain-Source On Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Output Power (Pout) Avg — 27 W (N-CDMA single-carrier)
Power Gain (Gps) — 19.2 dB typical
Supply Voltage (Vdd) Recommended — 28 V
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: Tstg range]
پن کی تعداد — 3
Style — Style 1
Packing — Tape & Reel (HSR3 suffix)
Primary Applications — N-CDMA, GSM, GSM EDGE base station PAs, 880-960 MHz multicarrier amplifiers

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں