MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR-PBC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M16JY-075E بذریعہ Micron Technology اور H5AN8G6NAFR-PBC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A512M16JY-075E | H5AN8G6NAFR-PBC |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 MT/s | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| پیکیج | 96-FBGA (8x14) | TFBGA-96 (rectangular) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| خصوصیات | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| VDD Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V +0.25/-0.125 V |
| انٹرفیس ٹائپ | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Speed Bins Supported | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| DLL | — | DLL ON mode for speed bin operation |
| Clock | — | Differential clock (CK/CK#) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Composition | — | CMOS |