NT5CC256M16CP-DI vs H5TC4G63AFR-PBA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CC256M16CP-DI بذریعہ Nanya Technology اور H5TC4G63AFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | NT5CC256M16CP-DI | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| برانڈ | Nanya Technology | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $3.98 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Speed Grade | DDR3-1600 (CL11) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | 11, 12, 13 |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| پیکیج | VFBGA-96 | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] | — |
| انٹرفیس | Differential clock (CK, CK#) | 16-bit I/O |
| Burst Length | 8, 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (programmable) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 70nm | — |
| Density | — | 4Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| ڈیٹا ریٹ | — | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |